實(shí)驗(yàn)室
青島惠科實(shí)驗(yàn)室分為應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室、分析實(shí)驗(yàn)室和例行試驗(yàn)室。其中例行實(shí)驗(yàn)室是公司品保部下屬可靠性實(shí)驗(yàn)室，占地面積260㎡，配備環(huán)境試驗(yàn)、環(huán)境偏壓測(cè)試系統(tǒng)、綜合老化測(cè)試系統(tǒng)等，可承接半導(dǎo)體分立器件主流可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)。
| 例行實(shí)驗(yàn)室 | |||
| 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | 檢測(cè)能力 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 冷熱沖擊 | TS | TA：-70℃ min TB：200℃ max | JESD22-A106 |
| 快速溫度循環(huán) | TC | TA：-70℃ min TB：180℃ max | JESD22-A113 JESD22-A104 |
| 鹽霧試驗(yàn) | SST | 滿足各種鹽霧腐蝕要求 | CNS，JIS. ASTM, GB2423.17中SS(中性)，ASS(酸性)，CASS(銅加速) |
| 高/低溫存儲(chǔ) | HTS/LTS | TA：-70℃ min TB：300℃ max | JESD22-A103 |
| 穩(wěn)態(tài)濕熱 | THT | RH：10%~98% TA：0℃ min TB：180℃ max | JESD22-A113 JESD22-A101 |
| 高壓蒸煮 | PCT | TA：105℃~ 150℃ RH：65%~100% Pre.：0.019MPa~0.208MPa | JESD22-A102 |
| 高溫反偏 | HTRB | TA：200℃ max VR：3000V max | JESD22- A108 |
| 高溫反偏（Tj） | HTRB(Tj) | TA：200℃ max VR：3000V max | JESD22- A108 |
| 高溫高濕反偏 | H3TRB | RH：10%~98% TA：-20℃~180℃ VR：1200V max | JESD22- A108 |
| 高溫柵偏 | HTGB | TA：200℃ max VR：60V max | JESD22- A108 |
| 分立器件綜合老化測(cè)試 | BI | 滿足穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)（CFOL）、間歇熱疲勞（IFOL）壽命試驗(yàn)和功率老煉篩選 | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 |
| 間歇運(yùn)行壽命 | IOL | K系數(shù)測(cè)試、連續(xù)工作壽命（CFOL）和間歇工作壽命試驗(yàn)（IOL）。 監(jiān)測(cè)參數(shù)：IH、VF、Ta、Tjmax、Tjmin、△Tj、VF@IM、VF@IH、TON、TOFF | MIL-STD-750-1 M1040 Test Condition A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 |
| 高加速耐濕及偏壓系統(tǒng) | HAST | TA：+105℃-142.9℃ RH：75%~100% Pre.：0.020MPa~0.196MPa VR：200V max | JESD22- A110 JESD22- A118 |
| 功率循環(huán) | PC | VF：0.02V~4.00V IF：1500 max | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 |
| 應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室能力 | |||
| 項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)介 | ||
| 電測(cè) | 包括DC參數(shù)測(cè)試、二極管正反向浪涌測(cè)試、TRR、QRR、di/dt檢測(cè)等 | ||
| ESD靜電測(cè)試 | 接觸放電、空氣放電兩種形式，輸出電壓最高30kV | ||
| IV 曲線測(cè)試 | 最高輸出電壓5000V，電流精度可達(dá)pA | ||
| 柵極等效電容電阻測(cè)試 | 可測(cè)量Rg，Ciss，Coss，Crss，測(cè)量精度1% | ||
| 雪崩擊穿測(cè)試 | 雪崩電壓最高可達(dá)2500V，Id最大200A | ||
| 光電測(cè)試系統(tǒng) | 可進(jìn)行光譜響應(yīng)檢測(cè)；適應(yīng)于PD、PT產(chǎn)品的測(cè)試 | ||
| 分析實(shí)驗(yàn)室能力 | |||
| 項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)介 | ||
| Decap芯片化學(xué)開蓋 | 用化學(xué)方法去掉芯片外封裝的樹脂材料 | ||
| FIB 聚焦離子束 | 可進(jìn)行高分辨率成像，便于分析細(xì)微的芯片缺陷 | ||
| Cross Section切片分析 | 用于芯片縱切面分析 | ||
| Probe探針測(cè)試 | 進(jìn)行芯片開帽后的參數(shù)分析 | ||
| X-Ray 檢測(cè)儀 | 適用于樣品的無損檢測(cè)，快速高效的分析樣品的封裝缺陷 | ||
| SRP擴(kuò)展電阻測(cè)試系統(tǒng) | 通過芯片縱向電阻率的測(cè)試，分析材料參數(shù)的一種有效方式 | ||
青島惠科微電子有限公司成立于2019年4月，位于青島市即墨區(qū)北安街道太吉路116號(hào)。項(xiàng)目總投資29億元，占地面積168畝，布局了芯片制造凈化車間、封裝車間、芯片測(cè)試車間等。青島惠科規(guī)劃月產(chǎn)芯片20萬片、WLCSP封裝10萬片。
